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J-GLOBAL ID：201002235912234754 整理番号：10A0053097

アンモニア熱オートクレーブでのGaN単結晶成長プロセスに関する数値シミュレーション-バッフル形状の影響

Numerical simulation of GaN single-crystal growth process in ammonothermal autoclave - Effects of baffle shape

著者 (7件)：

MASUDA Y.

(Res. Center for Compact Chemical Process, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 4-2-1 Nigatake ...)

SUZUKI A.

(Res. Center for Compact Chemical Process, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 4-2-1 Nigatake ...)

MIKAWA Y.

(Mitsubishi Chemical Corp., 1000, Higashi-Mamiana, Ushiku 300-1295, JPN)

KAGAMITANI Y.

(Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)

ISHIGURO T.

(Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)

YOKOYAMA C.

(Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)

TSUKADA T.

(Tohoku Univ., 6-6-07, Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN)

資料名：

International Journal of Heat and Mass Transfer (International Journal of Heat and Mass Transfer)

巻： 53 号： 5-6 ページ： 940-943 発行年： 2010年02月
JST資料番号： C0390A ISSN： 0017-9310 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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