文献
J-GLOBAL ID:201002236187535855
整理番号:10A0523670
リン組み込みによるSiO2/4H-SiC(0001)界面における界面近傍トラップの除去
Removal of near-interface traps at SiO2/4H-SiC (0001) interfaces by phosphorus incorporation
著者 (4件):
OKAMOTO Dai
(Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN)
,
YANO Hiroshi
(Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN)
,
HATAYAMA Tomoaki
(Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN)
,
FUYUKI Takashi
(Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
96
号:
20
ページ:
203508
発行年:
2010年05月17日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)