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文献
J-GLOBAL ID:201002236187535855   整理番号:10A0523670

リン組み込みによるSiO2/4H-SiC(0001)界面における界面近傍トラップの除去

Removal of near-interface traps at SiO2/4H-SiC (0001) interfaces by phosphorus incorporation
著者 (4件):
OKAMOTO Dai
(Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN)
YANO Hiroshi
(Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN)
HATAYAMA Tomoaki
(Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN)
FUYUKI Takashi
(Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 96  号: 20  ページ: 203508  発行年: 2010年05月17日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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