Sorry, this section is only available in Japanese.
著者 (11件)：
資料名：
巻： 10 号： 3 ページ： 1084-1089 発行年： 2010年03月
JST資料番号： W1323A ISSN： 1528-7483 CODEN： CGDEFU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201002240245990549
整理番号：10A0493229
原子的平坦ScAlMgO4エピタクシー緩衝層の作成と高移動度ZnO膜の低温成長
Fabrication of Atomically Flat ScAlMgO4 Epitaxial Buffer Layer and Low-Temperature Growth of High-Mobility ZnO Films
KATASE Takayoshi
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
NOMURA Kenji
,
OHTA Hiromichi
,
OHTA Hiromichi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
YANAGI Hiroshi
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
KAMIYA Toshio
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
KAMIYA Toshio
,
HIRANO Masahiro
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
HIRANO Masahiro
,
HOSONO Hideo
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
HOSONO Hideo
資料名：
Crystal Growth & Design
(Crystal Growth & Design)
巻： 10 号： 3 ページ： 1084-1089 発行年： 2010年03月
JST資料番号： W1323A ISSN： 1528-7483 CODEN： CGDEFU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。