文献
J-GLOBAL ID:201002240752028161
整理番号:10A0253983
液相堆積によるInP基板上でのSiO2の成長
Growth of SiO2 on InP substrate by liquid phase deposition
著者 (2件):
LEI Po Hsun
(Inst. of Electro-Optical and Materials Sci., National Formosa Univ., 64 Wen-Hwa Rd, Hu-Wei, Yun-Lin 623, Taiwan, TWN)
,
YANG Chyi Da
(Dep. of Microelectronic Engineering, National Kaohsiung Marine Univ., Kaohsiung 811, Taiwan, TWN)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
256
号:
12
ページ:
3757-3760
発行年:
2010年04月01日
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)