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著者 (6件)：
資料名：
巻： 42 号： 6/7 ページ： 1333-1337 発行年： 2010年06月
JST資料番号： E0709A ISSN： 0142-2421 CODEN： SIANDQ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201002246048649779
整理番号：10A0826391
H,Si及びArイオン注入したシリコンウエハ表面の光電閾値
Photoelectric threshold of silicon wafer surfaces implanted with H, Si and Ar ions
MOMOSE Y.
(Ibaraki Univ., Hitachi, JPN)
,
KOSAKA S.
(Ibaraki Univ., Hitachi, JPN)
,
SAKURAI T.
(Ashikaga Inst. of Technol., Ashikaga, JPN)
,
YANAGISAWA M.
(Waseda Uuniversity, Tokyo, JPN)
,
NAKAYAMA K.
(Chiba Inst. of Technol., Narashino, JPN)
,
NAKAYAMA K.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
資料名：
Surface and Interface Analysis
(Surface and Interface Analysis)
巻： 42 号： 6/7 ページ： 1333-1337 発行年： 2010年06月
JST資料番号： E0709A ISSN： 0142-2421 CODEN： SIANDQ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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