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J-GLOBAL ID：201002247319283895 整理番号：10A0322096

Au-ZnMgO Schottkyフォトダイオードの高応答性と内部利得機構

High responsivity and internal gain mechanisms in Au-ZnMgO Schottky photodiodes

著者 (8件)：

TABARES G.

(Dpto. Ingenieria Electronica, ISOM, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, ESP)

,

HIERRO A.

(Dpto. Ingenieria Electronica, ISOM, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, ESP)

,

ULLOA J. M.

(Dpto. Ingenieria Electronica, ISOM, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, ESP)

,

GUZMAN A.

(Dpto. Ingenieria Electronica, ISOM, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, ESP)

,

MUNOZ E.

(Dpto. Ingenieria Electronica, ISOM, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, ESP)

,

NAKAMURA A.

(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)

,

HAYASHI T.

(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)

,

TEMMYO J.

(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)

資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

巻： 96 号： 10 ページ： 101112 発行年： 2010年03月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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