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資料名：
巻： 49 号： 9,Issue 1 ページ： 090001.1-090001.8 発行年： 2010年09月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201002250704471814
整理番号：10A1021695
三十年間にわたるIII-V化合物半導体光学素子の劣化研究について
On Degradation Studies of III-V Compound Semiconductor Optical Devices over Three Decades: Focusing on Gradual Degradation
UEDA Osamu
(Kanazawa Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 9,Issue 1 ページ： 090001.1-090001.8 発行年： 2010年09月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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