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資料名：
巻： 49 号： 6,Issue 2 ページ： 06GH05.1-06GH05.3 発行年： 2010年06月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201002256556974532
整理番号：10A0700734
Ar/F2プラズマを用いたSiの反応性イオンエッチング
Reactive Ion Etching of Si Using Ar/F2 Plasma
MATSUTANI Akihiro
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
OHTSUKI Hideo
(Samco Inc., Kyoto, JPN)
,
KOYAMA Fumio
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 6,Issue 2 ページ： 06GH05.1-06GH05.3 発行年： 2010年06月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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