文献
J-GLOBAL ID:201002262351215167
整理番号:10A0054517
TiO2ナノ複合誘電体を挿入した高性能ポリ(3-ヘキシルチオフェン)トップゲートトランジスタ
High-performance poly(3-hexylthiophene) top-gate transistors incorporating TiO2 nanocomposite dielectrics
著者 (4件):
YANG Feng-yu
(Materials and Chemical Laboratories, Industrial Technol. Res. Inst., 195, Sec. 4, Chung Hsing Road, Chutung, Hsinchu ...)
,
HSU Meei-yu
(Materials and Chemical Laboratories, Industrial Technol. Res. Inst., 195, Sec. 4, Chung Hsing Road, Chutung, Hsinchu ...)
,
HWANG Gue-wuu
(Materials and Chemical Laboratories, Industrial Technol. Res. Inst., 195, Sec. 4, Chung Hsing Road, Chutung, Hsinchu ...)
,
CHANG Kuo-jui
(Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
資料名:
Organic Electronics
(Organic Electronics)
巻:
11
号:
1
ページ:
81-88
発行年:
2010年01月
JST資料番号:
W1352A
ISSN:
1566-1199
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)