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文献
J-GLOBAL ID:201002262351215167   整理番号:10A0054517

TiO2ナノ複合誘電体を挿入した高性能ポリ(3-ヘキシルチオフェン)トップゲートトランジスタ

High-performance poly(3-hexylthiophene) top-gate transistors incorporating TiO2 nanocomposite dielectrics
著者 (4件):
YANG Feng-yu
(Materials and Chemical Laboratories, Industrial Technol. Res. Inst., 195, Sec. 4, Chung Hsing Road, Chutung, Hsinchu ...)
HSU Meei-yu
(Materials and Chemical Laboratories, Industrial Technol. Res. Inst., 195, Sec. 4, Chung Hsing Road, Chutung, Hsinchu ...)
HWANG Gue-wuu
(Materials and Chemical Laboratories, Industrial Technol. Res. Inst., 195, Sec. 4, Chung Hsing Road, Chutung, Hsinchu ...)
CHANG Kuo-jui
(Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)

資料名:
Organic Electronics  (Organic Electronics)

巻: 11  号:ページ: 81-88  発行年: 2010年01月 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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