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J-GLOBAL ID：201002263981526671 整理番号：10A0346761

ナノ結晶シリコン平面陰極の放出均一性評価

Evaluation of emission uniformity of nanocrystalline silicon planar cathodes

著者 (6件)：

SHIMAWAKI Hidetaka

(Graduate School of Engineering, Hachinohe Inst. of Technol., 88-1 Ohbiraki, Myo, Hachinohe 031-8501, JPN)

MURAKAMI Katsuhisa

(Center for Quantum Sci. and Technol. under Extreme Conditions, Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka ...)

NEO Yoichiro

(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN)

MIMURA Hidenori

(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN)

WAKAYA Fujio

(Center for Quantum Sci. and Technol. under Extreme Conditions, Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka ...)

TAKAI Mikio

(Center for Quantum Sci. and Technol. under Extreme Conditions, Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama, Toyonaka, Osaka ...)

資料名：

Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)

巻： 28 号： 2 ページ： C2C49 発行年： 2010年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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