文献
J-GLOBAL ID:201002264420767641
整理番号:10A0047527
ドーピングとグレーディング傾斜がGaAs基板上の変形InGaAsバッファーの表面と構造に与える効果
Effects of doping and grading slope on surface and structure of metamorphic InGaAs buffers on GaAs substrates
著者 (5件):
SONG Yuxin
(Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Photonics Lab., Chalmers Univ. of Technol., 41296 Goeteborg, SWE)
,
WANG Shumin
(Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Photonics Lab., Chalmers Univ. of Technol., 41296 Goeteborg, SWE)
,
TANGRING Ivar
(Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Photonics Lab., Chalmers Univ. of Technol., 41296 Goeteborg, SWE)
,
LAI Zonghe
(Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Photonics Lab., Chalmers Univ. of Technol., 41296 Goeteborg, SWE)
,
SADEGHI Mahdad
(Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Photonics Lab., Chalmers Univ. of Technol., 41296 Goeteborg, SWE)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
106
号:
12
ページ:
123531
発行年:
2009年12月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)