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文献
J-GLOBAL ID:201002267551278556   整理番号:10A1250039

絶縁体層表面上に作られた高性能ナノスケール・トランジスタ用極薄化合物半導体

Ultrathin compound semiconductor on insulator layers for high-performance nanoscale transistors
著者 (25件):
KO Hyunhyub
(Univ. California, California, USA)
TAKEI Kuniharu
(Univ. California, California, USA)
KAPADIA Rehan
(Univ. California, California, USA)
CHUANG Steven
(Univ. California, California, USA)
FANG Hui
(Univ. California, California, USA)
LEU Paul W.
(Univ. California, California, USA)
GANAPATHI Kartik
(Univ. California, California, USA)
MADSEN Morten
(Univ. California, California, USA)
FORD Alexandra C.
(Univ. California, California, USA)
SALAHUDDIN Sayeef
(Univ. California, California, USA)
JAVEY Ali
(Univ. California, California, USA)
KO Hyunhyub
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
TAKEI Kuniharu
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
KAPADIA Rehan
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
CHUANG Steven
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
FANG Hui
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
LEU Paul W.
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
MADSEN Morten
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
FORD Alexandra C.
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
JAVEY Ali
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
CHEN Szu-Ying
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
CHUEH Yu-Lun
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
PLIS Elena
(Univ. New Mexico, New Mexico, USA)
KIM Ha Sul
(Univ. New Mexico, New Mexico, USA)
KRISHNA Sanjay
(Univ. New Mexico, New Mexico, USA)

資料名:
Nature (London)  (Nature (London))

巻: 468  号: 7321  ページ: 286-289  発行年: 2010年11月11日 
JST資料番号: D0193B  ISSN: 0028-0836  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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