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資料名：
巻： 105 号： 13 ページ： 136805.1-136805.4. 発行年： 2010年09月24日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201002270863994357
整理番号：10A1093135
原子的に薄いMoS2:新しい直接ギャップ半導体
Atomically Thin MoS2: A New Direct-Gap Semiconductor
MAK Kin Fai
(Columbia Univ., New York, USA)
,
LEE Changgu
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
HONE James
(Columbia Univ., New York, USA)
,
SHAN Jie
(Case Western Reserve Univ., Ohio, USA)
,
HEINZ Tony F.
(Columbia Univ., New York, USA)
資料名：
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻： 105 号： 13 ページ： 136805.1-136805.4. 発行年： 2010年09月24日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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