Sorry, this section is only available in Japanese.

前のページに戻るこの文献は全文を取り寄せることができます

JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。

既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方

JDreamⅢ複写サービス
文献複写のお申込み

JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方

学術文献の全文複写をお取寄せ
JDreamⅢ複写サービスのご案内

取り寄せる文献のタイトルと詳細

文献

J-GLOBAL ID：201002276083765974 整理番号：10A0343626

抵抗分布と読取擾乱耐性を改善した高いスケーラビリティの酸化ハフニウムメモリ

Highly Scalable Hafnium Oxide Memory with Improvements of Resistive Distribution and Read Disturb Immunity

著者 (16件)：

CHEN Y. S.

(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)

,

CHEN Y. S.

(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)

,

LEE H. Y.

(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)

,

LEE H. Y.

(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)

,

CHEN P. S.

(MingShin Univ. Sci. & Technol., Hsinchu, TWN)

,

GU P. Y.

(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)

,

CHEN C. W.

(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)

,

LIN W. P.

(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)

,

LIU W. H.

(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)

,

HSU Y. Y.

(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)

,

SHEU S. S.

(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)

,

CHIANG P. C.

(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)

,

CHEN W. S.

(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)

,

CHEN F. T.

(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)

,

LIEN C. H.

(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)

,

TSAI M.-J.

(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)

資料名：

Technical Digest. International Electron Devices Meeting (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

巻： 2009 ページ： 95-98 発行年： 2009年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

JDreamⅢ複写サービスとは

JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。

TOP

BOTTOM