文献
J-GLOBAL ID:201002283682244873
整理番号:10A0252948
プラズマ支援分子ビームエピタクシーによるβ-Ga2O3成長
β-Ga2O3 growth by plasma-assisted molecular beam epitaxy
著者 (4件):
TSAI Min-ying
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106)
,
BIERWAGEN Oliver
(Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106)
,
WHITE Mark E.
(Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106)
,
SPECK James S.
(Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
28
号:
2
ページ:
354
発行年:
2010年03月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)