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資料名：
巻： 110 号： 29(ED2010 17-32) ページ： 75-79 発行年： 2010年05月06日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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文献
J-GLOBAL ID：201002285107539317
整理番号：10A0654764
MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面
Surface morphology at initial growth stage of GaP grown on Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy
高野泰
(静岡大 工)
,
山田洋毅
(静岡大 工)
,
見崎龍
(静岡大 工)
,
高木達也
(静岡大 工)
,
福家俊郎
(静岡大 工)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110 号： 29(ED2010 17-32) ページ： 75-79 発行年： 2010年05月06日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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