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資料名：
巻： 31 号： 4 ページ： 305-307 発行年： 2010年04月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201002288567482720
整理番号：10A0387510
高性能p型III-Vヘテロ接合トンネルFETsのモデリング
Modeling of High-Performance p-Type III-V Heterojunction Tunnel FETs
KNOCH Joachim
(TU Dortmund Univ., Dortmund, DEU)
,
APPENZELLER Joerg
(Purdue Univ., IN, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 31 号： 4 ページ： 305-307 発行年： 2010年04月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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