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文献
J-GLOBAL ID:201002288836399796   整理番号:10A0612202

CMOS電圧制御発振器に対するスイッチトランジスタ容量を考慮した位相雑音劣化の解析

Analysis of Phase Noise Degradation Considering Switch Transistor Capacitances for CMOS Voltage Controlled Oscillators
著者 (4件):
MURAKAMI Rui
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
HARA Shoichi
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
OKADA Kenichi
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
MATSUZAWA Akira
(Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)

資料名:
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻: E93-C  号:ページ: 777-784  発行年: 2010年06月01日 
JST資料番号: L1370A  ISSN: 0916-8524  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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