Sorry, this section is only available in Japanese.
著者 (6件)：
資料名：
巻： 108 号： 8 ページ： 083513 発行年： 2010年10月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201002291050579813
整理番号：10A1124825
反射率差分光法により研究したInAs/GaAsエピタクシー層の2次元から3次元への成長転移
The two- to three-dimensional growth transition of InAs/GaAs epitaxy layer studied by reflectance difference spectroscopy
ZHOU G. Y.
(Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...)
,
CHEN Y. H.
(Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...)
,
TANG C. G.
(Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...)
,
LIANG L. Y.
(Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...)
,
JIN P.
(Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...)
,
WANG Z. G.
(Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912, Beijing ...)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 108 号： 8 ページ： 083513 発行年： 2010年10月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。