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文献
J-GLOBAL ID:201002295005841464   整理番号:10A0464922

準バリスティック輸送high-k MISFETにおける低電界移動度と高電界キャリア速度との定量的な相関関係

著者 (4件):
辰村光介
(東芝 R&Dセ)
後藤正和
(東芝 セミコン社)
川中繁
(東芝 セミコン社)
木下敦寛
(東芝 R&Dセ)

資料名:
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)

巻: 57th  ページ: ROMBUNNO.19A-P11-21  発行年: 2010年03月03日 
JST資料番号: Y0054B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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