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J-GLOBAL ID:201002296626322068   整理番号:10A0904521

InSbメルトへのGaSbの溶解過程のX線侵入法によるその場観察

In-situ observations of dissolution process of GaSb into InSb melt by X-ray penetration method
著者 (10件):
RAJESH G.
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., Johoku 3-5-1, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
ARIVANANDHAN M.
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., Johoku 3-5-1, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
MORII H.
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., Johoku 3-5-1, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
AOKI T.
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., Johoku 3-5-1, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
KOYAMA T.
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., Johoku 3-5-1, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
MOMOSE Y.
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., Johoku 3-5-1, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
TANAKA A.
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., Johoku 3-5-1, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
OZAWA T.
(Dep. of Electrical Engineering, Shizuoka Inst. of Sci. and Technol., Fukuroi, Shizuoka 437-8555, JPN)
INATOMI Y.
(Inst. of Space and Astronautical Sci., Japan Aerospace Exploration Agency, 3-1-1 Yoshinodai, Sagamihara, Kanagawa ...)
HAYAKAWA Y.
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., Johoku 3-5-1, Naka-ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 312  号: 19  ページ: 2677-2682  発行年: 2010年09月15日 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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