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資料名：
巻： 99 号： 18 ページ： 181125 発行年： 2011年10月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201102200606714709
整理番号：11A1814507
分子ビームエピタクシーにより成長させた低歪,高Sn組成Ge1-xSnx合金の光ルミネセンス増強
Increased photoluminescence of strain-reduced, high-Sn composition Ge1-xSnx alloys grown by molecular beam epitaxy
CHEN Robert
(Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA)
,
LIN Hai
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA)
,
HUO Yijie
(Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA)
,
HITZMAN Charles
(Stanford Nano Center (SNC), Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA)
,
KAMINS Theodore I.
(Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA)
,
HARRIS James S.
(Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 99 号： 18 ページ： 181125 発行年： 2011年10月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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