文献
J-GLOBAL ID:201102201247316049
整理番号:11A1344719
シリコン-オン-インシュレータから成る基板のバイアス制御が可能なフォトダイオードにおける感度の金ナノ粒子の付着による改善
Sensitivity improvement of silicon-on-insulator photodiode by gold nanoparticles with substrate bias control
著者 (4件):
ONO Atsushi
(Div. of Global Res. Leaders, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8561, JPN)
,
MATSUO Yuki
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
,
SATOH Hiroaki
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
,
INOKAWA Hiroshi
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
99
号:
6
ページ:
062105
発行年:
2011年08月08日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)