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文献
J-GLOBAL ID:201102202212826903   整理番号:11A1514628

ナノメートルスケールのリンドープ絶縁体上シリコン電界効果トランジスタに於けるドナーによる光励起電子の捕獲

Trapping of a photoexcited electron by a donor in nanometer-scale phosphorus-doped silicon-on-insulator field-effect transistors
著者 (4件):
UDHIARTO Arief
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Nakaku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
MORARU Daniel
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Nakaku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
MIZUNO Takeshi
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Nakaku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
TABE Michiharu
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Nakaku, Hamamatsu 432-8011, JPN)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 99  号: 11  ページ: 113108  発行年: 2011年09月12日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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