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著者 (4件)：
資料名：
巻： 58 号： 3 ページ： 698-703 発行年： 2011年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201102205320224676
整理番号：11A0656306
GaAs FETにおける表面準位関連電流過渡現象とパワースランプに関するフィールドプレート効果の二次元解析
Two-Dimensional Analysis of Field-Plate Effects on Surface-State-Related Current Transients and Power Slump in GaAs FETs
HORIO Kazushige
(Shibaura Inst. Technol., Saitama, JPN)
,
TANAKA Toshiya
(Shibaura Inst. Technol., Saitama, JPN)
,
ITAGAKI Keiichi
(Shibaura Inst. Technol., Saitama, JPN)
,
NAKAJIMA Atsushi
(Shibaura Inst. Technol., Saitama, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 58 号： 3 ページ： 698-703 発行年： 2011年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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