文献
J-GLOBAL ID:201102212048570760
整理番号:11A1135130
高純度めっき材料を用いた低抵抗率Cu配線形成プロセスの8インチウエハによる検証
Investigation of the Low Resistivity Cu Wire Formation in the 8 Inch Wafer Using Ultra-High Purity Plating Materials
著者 (7件):
田代優
(茨城大学工学部マテリアル工学科)
,
門田裕行
(日立協和エンジニアリング株式会社デバイスシステムセンタ)
,
伊藤雅彦
(茨城大学工学部マテリアル工学科)
,
打越雅仁
(東北大学多元物質科学研究所)
,
三村耕司
(東北大学多元物質科学研究所)
,
一色実
(東北大学多元物質科学研究所)
,
大貫仁
(茨城大学工学部マテリアル工学科)
資料名:
日本金属学会誌
(Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
巻:
75
号:
7
ページ:
386-391 (J-STAGE)
発行年:
2011年
JST資料番号:
G0023A
ISSN:
0021-4876
CODEN:
NIKGAV
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)