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J-GLOBAL ID：201102214062284862 整理番号：11A1568594

直接ウエハ接合を用いた自己整合Ni系金属S/D型InGaAs nMOSFETのCMOS集積化

CMOS integration of InGaAs nMOSFETs and Ge pMOSFETs with self-align Ni-based metal S/D using direct wafer bonding

著者 (16件)：

YOKOYAMA M.

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

KIM S. H.

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

ZHANG R.

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

TAOKA N.

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

URABE Y.

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

MAEDA T.

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

TAKAGI H.

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

YASUDA T.

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

YAMADA H.

(Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN)

ICHIKAWA O.

(Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN)

FUKUHARA N.

(Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN)

HATA M.

(Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN)

SUGIYAMA M.

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

NAKANO Y.

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

TAKENAKA M.

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

TAKAGI S.

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

資料名：

Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)

巻： 2011 ページ： 60-61 発行年： 2011年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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