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文献
J-GLOBAL ID:201102214585752924   整理番号:11A0535656

酸化ケイ素膜の厚さのシンクロトロン放射X線光電子分光法(SR-XPS)分析による決定

The determination of the thickness of the silicon oxide film by synchrotron radiation x-ray photoelectron spectroscopy (SR-XPS) analysis
著者 (6件):
IMAMURA M
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
IMAMURA M
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
MATSUBAYASHI N
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
FAN J
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
KOJIMA I
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
SASAKI M
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)

資料名:
Measurement Science and Technology  (Measurement Science and Technology)

巻: 22  号:ページ: 024007,1-5  発行年: 2011年02月 
JST資料番号: C0354C  ISSN: 0957-0233  CODEN: MSTCEP  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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