文献
J-GLOBAL ID:201102214585752924
整理番号:11A0535656
酸化ケイ素膜の厚さのシンクロトロン放射X線光電子分光法(SR-XPS)分析による決定
The determination of the thickness of the silicon oxide film by synchrotron radiation x-ray photoelectron spectroscopy (SR-XPS) analysis
著者 (6件):
IMAMURA M
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
IMAMURA M
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
MATSUBAYASHI N
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
FAN J
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KOJIMA I
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SASAKI M
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名:
Measurement Science and Technology
(Measurement Science and Technology)
巻:
22
号:
2
ページ:
024007,1-5
発行年:
2011年02月
JST資料番号:
C0354C
ISSN:
0957-0233
CODEN:
MSTCEP
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)