文献
J-GLOBAL ID:201102219031418676
整理番号:11A1353938
神経形態学的計算用金属酸化物抵抗スイッチングメモリに基づく電子シナプス素子
An Electronic Synapse Device Based on Metal Oxide Resistive Switching Memory for Neuromorphic Computation
著者 (5件):
YU Shimeng
(Stanford Univ., CA, USA)
,
WU Yi
(Stanford Univ., CA, USA)
,
JEYASINGH Rakesh
(Stanford Univ., CA, USA)
,
KUZUM Duygu
(Stanford Univ., CA, USA)
,
WONG H.-S.Philip
(Stanford Univ., CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
58
号:
8
ページ:
2729-2737
発行年:
2011年08月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)