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著者 (5件)：
資料名：
巻： 2010 ページ： 218-221 発行年： 2010年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201102219991034686
整理番号：11A1159840
不揮発性CMOS論理用磁気トンネル接合
Magnetic Tunnel Junction for Nonvolatile CMOS Logic
OHNO Hideo
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
ENDOH Tetsuo
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HANYU Takahiro
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KASAI Naoki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
IKEDA Shoji
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010 ページ： 218-221 発行年： 2010年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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