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文献
J-GLOBAL ID:201102227688860053   整理番号:11A1301717

非融解エキシマレーザアニーリングによる浅いp+/n接合の形成時のシリコン中でのホウ素の拡散挙動

Boron diffusion behavior in silicon during shallow p+/n junction formation by non-melt excimer laser annealing
著者 (3件):
AID Siti Rahmah
(Keio Univ., Kanagawa, JPN)
MATSUMOTO Satoru
(Keio Univ., Kanagawa, JPN)
FUSE Genshu
(SEN Corp., Tokyo, JPN)

資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)

巻: 208  号:ページ: 1646-1651  発行年: 2011年07月 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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