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巻： 50 号： 11,Issue 1 ページ： 115501.1-115501.6 発行年： 2011年11月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201102228692465467
整理番号：11A1923889
連続波レーザ横方向結晶化によるガラス基板上の準単結晶珪素-ゲルマニウム薄膜の成長
Growth of Quasi-Single-Crystal Silicon-Germanium Thin Films on Glass Substrates by Continuous Wave Laser Lateral Crystallization
KITAHARA Kuninori
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
HIROSE Kenta
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
SUZUKI Junki
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
KONDO Kenji
(Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN)
,
HARA Akito
(Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50 号： 11,Issue 1 ページ： 115501.1-115501.6 発行年： 2011年11月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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