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著者 (11件)：
資料名：
巻： 14 号： 9 ページ： H351-H353 発行年： 2011年
JST資料番号： W1290A ISSN： 1099-0062 CODEN： ESLEF6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201102229214862821
整理番号：11A1335898
改良型微分干渉コントラスト顕微鏡による超平坦Si(100)面上の単一原子ステップの可視化
Visualization of Single Atomic Steps on An Ultra-Flat Si(100) Surface by Advanced Differential Interference Contrast Microscopy
KOBAYASHI Shin-Ichiro
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KIM Youn-Geun
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
WEN Rui
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
YASUDA Kohei
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
FUKIDOME Hirokazu
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SUWA Tomoyuki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KURODA Rihito
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
LI Xiang
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TERAMOTO Akinobu
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OHMI Tadahiro
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
ITAYA Kingo
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Electrochemical and Solid-State Letters
(Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 14 号： 9 ページ： H351-H353 発行年： 2011年
JST資料番号： W1290A ISSN： 1099-0062 CODEN： ESLEF6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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