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著者 (11件)：
資料名：
巻： 32 号： 3 ページ： 270-272 発行年： 2011年03月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201102232762713070
整理番号：11A0656105
両極性RF応用における低位相雑音グラフェンFET
Low-Phase-Noise Graphene FETs in Ambipolar RF Applications
MOON J. S.
(HRL Lab., LLC, CA, USA)
,
CURTIS D.
(HRL Lab., LLC, CA, USA)
,
ZEHNDER D.
(HRL Lab., LLC, CA, USA)
,
KIM S.
(HRL Lab., LLC, CA, USA)
,
GASKILL D. K.
(Naval Res. Lab., Washington, DC, USA)
,
JERNIGAN G. G.
(Naval Res. Lab., Washington, DC, USA)
,
MYERS-WARD R. L.
(Naval Res. Lab., Washington, DC, USA)
,
EDDY C. R., Jr
(Naval Res. Lab., Washington, DC, USA)
,
CAMPBELL P. M.
(Naval Res. Lab., Washington, DC, USA)
,
LEE K.-M.
(Univ. California San Diego, CA, USA)
,
ASBECK P.
(Univ. California San Diego, CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 32 号： 3 ページ： 270-272 発行年： 2011年03月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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