文献
J-GLOBAL ID:201102237660262369
整理番号:11A1568651
RTN特性を用いたNANDフラッシュセルトラップの新解析方法
A New Approach of NAND Flash Cell Trap Analysis using RTN Characteristics
著者 (14件):
KANG Daewoong
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
LEE Sungbok
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
PARK Hyun-Mog
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
LEE Dong-Jun
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
KIM Jun
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
SEO Junho
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
LEE Chikyoung
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
SONG Cheol
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
LEE Chang-Sub
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
SHIN Hyungcheol
(Seoul National Univ. Dept. of EE, Seoul, KOR)
,
SONG Jaihyuk
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
LEE Haebum
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
CHOI Jeong-Hyuk
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
,
JUN Young-Hyun
(Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻:
2011
ページ:
206-207
発行年:
2011年
JST資料番号:
A0035B
ISSN:
0743-1562
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)