Sorry, this section is only available in Japanese.

前のページに戻るこの文献は全文を取り寄せることができます

JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。

既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方

JDreamⅢ複写サービス
文献複写のお申込み

JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方

学術文献の全文複写をお取寄せ
JDreamⅢ複写サービスのご案内

取り寄せる文献のタイトルと詳細

文献

J-GLOBAL ID：201102239698437920 整理番号：11A1928963

Ni-InGaAs金属ソース/ドレインを有するSi基板上の絶縁体上高性能極薄体InGaAs金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)

High Performance Extremely Thin Body InGaAs-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors on Si Substrates with Ni-InGaAs Metal Source/Drain

著者 (14件)：

KIM SangHyeon

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

YOKOYAMA Masafumi

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

TAOKA Noriyuki

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

IIDA Ryo

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

LEE Sunghoon

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

NAKANE Ryosho

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

URABE Yuji

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

MIYATA Noriyuki

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

YASUDA Tetsuji

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

YAMADA Hisashi

(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)

FUKUHARA Noboru

(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)

HATA Masahiko

(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)

TAKENAKA Mitsuru

(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

TAKAGI Shinichi

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

資料名：

Applied Physics Express (Applied Physics Express)

巻： 4 号： 11 ページ： 114201.1-114201.3 発行年： 2011年11月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

JDreamⅢ複写サービスとは

JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。

TOP

BOTTOM