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J-GLOBAL ID:201102239698437920   整理番号:11A1928963

Ni-InGaAs金属ソース/ドレインを有するSi基板上の絶縁体上高性能極薄体InGaAs金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)

High Performance Extremely Thin Body InGaAs-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors on Si Substrates with Ni-InGaAs Metal Source/Drain
著者 (14件):
KIM SangHyeon
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
YOKOYAMA Masafumi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
TAOKA Noriyuki
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
IIDA Ryo
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
LEE Sunghoon
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
NAKANE Ryosho
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
URABE Yuji
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
MIYATA Noriyuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
YASUDA Tetsuji
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
YAMADA Hisashi
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
FUKUHARA Noboru
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
HATA Masahiko
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
TAKENAKA Mitsuru
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
TAKAGI Shinichi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

資料名:
Applied Physics Express  (Applied Physics Express)

巻:号: 11  ページ: 114201.1-114201.3  発行年: 2011年11月25日 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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