文献
J-GLOBAL ID:201102243266146116
整理番号:11A0926933
素子特性への接合条件の正確な予測に対する減少した表面場横拡散金属酸化物半導体の模型化
Modeling of Reduced Surface Field Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor for Accurate Prediction of Junction Condition on Device Characteristics
著者 (11件):
SAITO Takashi
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
SAITO Takashi
(Renesas Electronics Corp., Gunma, JPN)
,
TANAKA Akihiro
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
HAYASHI Takuro
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
KIKUCHIHARA Hideyuki
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
KANAMOTO Toshiki
(Renesas Electronics Corp., Gunma, JPN)
,
MASUDA Hiroo
(Renesas Electronics Corp., Gunma, JPN)
,
MIYAKE Masataka
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
AMAKAWA Shuhei
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
MATTAUSCH Hans J.
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
MIURA-MATTAUSCH Michiko
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
50
号:
4,Issue 2
ページ:
04DP03.1-04DP03.5
発行年:
2011年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)