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著者 (7件)：
資料名：
巻： 110 号： 5 ページ： 053520 発行年： 2011年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201102243694473334
整理番号：11A1514331
ZnO低温ホモエピタキシーの成長機構
Growth mechanism of ZnO low-temperature homoepitaxy
PARK S. H.
(Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Aoba 6-3, Aramaki, Aobak-ku, Sendai 980-8578, JPN)
,
MINEGISHI T.
(Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Aoba 6-3, Aramaki, Aobak-ku, Sendai 980-8578, JPN)
,
LEE H. J.
(Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Aoba 6-3, Aramaki, Aobak-ku, Sendai 980-8578, JPN)
,
OH D. C.
(Center for Optoelectronic Materials and Devices, Dep. of Defense Sci. and Technol., Hoseo Univ., 165 Sechul-ri ...)
,
KO H. J.
(Photonics Device Team, Korea Photonics Technol. Inst., 971-35 Wolchul-dong, Buk-gu, Gwangju, 500-779, KOR)
,
CHANG J. H.
(Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Aoba 6-3, Aramaki, Aobak-ku, Sendai 980-8578, JPN)
,
YAO T.
(Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Aoba 6-3, Aramaki, Aobak-ku, Sendai 980-8578, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 110 号： 5 ページ： 053520 発行年： 2011年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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