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J-GLOBAL ID：201102250075818730 整理番号：11A1024428

c-サファイヤ基板上での六角柱GaNナノ構造体のウエファースケールの領域選択成長

Wafer-scale selective area growth of GaN hexagonal prismatic nanostructures on c-sapphire substrate

著者 (9件)：

CHEN X.j.

(Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, CEA, INAC, SP2M, NPSC, 17 rue des Martyrs, 38054 ...)

HWANG J.s.

(Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, Inst. Neel-CNRS, 25 rue des Martyrs, BP 166, Fr-38042 ...)

PERILLAT-MERCEROZ G.

(CEA, LETI, Minatec Campus, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA)

PERILLAT-MERCEROZ G.

(CEA, INAC, SP2M, LEMMA, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA)

LANDIS S.

(CEA, LETI, Minatec Campus, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA)

MARTIN B.

(CEA, LETI, Minatec Campus, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA)

LE SI DANG D.

(Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, Inst. Neel-CNRS, 25 rue des Martyrs, BP 166, Fr-38042 ...)

EYMERY J.

(Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, CEA, INAC, SP2M, NPSC, 17 rue des Martyrs, 38054 ...)

DURAND C.

(Equipe mixte CEA-CNRS-UJF “Nanophysique et semiconducteurs”, CEA, INAC, SP2M, NPSC, 17 rue des Martyrs, 38054 ...)

資料名：

Journal of Crystal Growth (Journal of Crystal Growth)

巻： 322 号： 1 ページ： 15-22 発行年： 2011年05月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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