文献
J-GLOBAL ID:201102255712794974
整理番号:11A0967296
Si(111)上の成長させた極性制御されたInAs{111}膜
Polarity controlled InAs{111} films grown on Si(111)
著者 (2件):
OHTAKE Akihiro
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, JPN)
,
MITSUISHI Kazutaka
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba 305-0044, JPN)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻:
29
号:
3
ページ:
031804
発行年:
2011年05月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
2166-2746
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)