文献
J-GLOBAL ID:201102270125345554
整理番号:11A0727338
単層MoS2トランジスタ
Single-layer MoS2 transistors
著者 (5件):
RADISAVLJEVIC B.
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausane, CHE)
,
RADENOVIC A.
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausane, CHE)
,
BRIVIO J.
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausane, CHE)
,
GIACOMETTI V.
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausane, CHE)
,
KIS A.
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausane, CHE)
資料名:
Nature Nanotechnology
(Nature Nanotechnology)
巻:
6
号:
3
ページ:
147-150
発行年:
2011年03月
JST資料番号:
W2059A
ISSN:
1748-3387
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)