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資料名：
巻： 50 号： 8,Issue 1 ページ： 081101.1-081101.6 発行年： 2011年08月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201102270151732868
整理番号：11A1393806
NiO抵抗ランダムアクセスメモリーにおける「伝導スポット」の観測
The Observation of “Conduction Spot” on NiO Resistance Random Access Memory
KONDO Hirofumi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
ARITA Masashi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
FUJII Takashi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
KAJI Hiromichi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
MONIWA Masahiro
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN)
,
YAMAGUCHI Takeshi
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN)
,
FUJIWARA Ichiro
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN)
,
YOSHIMARU Masaki
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN)
,
TAKAHASHI Yasuo
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50 号： 8,Issue 1 ページ： 081101.1-081101.6 発行年： 2011年08月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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