文献
J-GLOBAL ID:201102273610366461
整理番号:11A0573033
単一α粒子衝突により形成された6H-SiCダイオード中の拡大ドリフト領域の過渡解析と増大した電荷収集へのその寄与
Transient Analysis of an Extended Drift Region in a 6H-SiC Diode Formed by a Single Alpha Particle Strike and Its Contribution to the Increased Charge Collection
著者 (8件):
IWAMOTO N.
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
ONODA S.
(Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN)
,
MAKINO T.
(Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN)
,
OHSHIMA T.
(Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN)
,
KOJIMA K.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KOIZUMI A.
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
UCHIDA K.
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
,
NOZAKI S.
(Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
58
号:
1,Pt.2
ページ:
305-313
発行年:
2011年02月
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)