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著者 (6件)：
資料名：
巻： 32 号： 11 ページ： 1525-1527 発行年： 2011年11月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201102273995555561
整理番号：11A1851652
InGaN背面障壁を有する300GHz InAlN/GaN HEMT
300-GHz InAlN/GaN HEMTs With InGaN Back Barrier
LEE Dong Seup
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
GAO Xiang
(IQE RF LLC, NJ, USA)
,
GUO Shiping
(IQE RF LLC, NJ, USA)
,
KOPP David
(Univ. Notre Dame, IN, USA)
,
FAY Patrick
(Univ. Notre Dame, IN, USA)
,
PALACIOS Tomas
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 32 号： 11 ページ： 1525-1527 発行年： 2011年11月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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