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資料名：
巻： 50 号： 2 ページ： 021402.1-021402.5 発行年： 2011年02月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201102274349945170
整理番号：11A0571794
青色マルチ-レーザ-ダイオードでアニールしたスパッタアモルファスシリコン薄膜の結晶化挙動
Crystallization Behavior of Sputtered Amorphous Silicon Films by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing
SHIRAI Katsuya
(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)
,
MUGIRANEZA Jean de Dieu
(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)
,
SUZUKI Toshiharu
(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)
,
OKADA Tatsuya
(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)
,
NOGUCHI Takashi
(Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN)
,
MATSUSHIMA Hideki
(Hitachi Computer Peripherals Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
,
HASHIMOTO Takao
(Hitachi Computer Peripherals Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
,
OGINO Yoshiaki
(Hitachi Computer Peripherals Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
,
SAHOTA Eiji
(Hitachi Computer Peripherals Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50 号： 2 ページ： 021402.1-021402.5 発行年： 2011年02月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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