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文献
J-GLOBAL ID:201102274975923820   整理番号:11A0143324

半極性(20<span style=text-decoration:overline>2</span>1)GaN基板上の高効率単一量子井戸緑色および黄色-緑色発光ダイオード

High-Efficiency Single-Quantum-Well Green and Yellow-Green Light-Emitting Diodes on Semipolar (20<span style=text-decoration:overline>2</span>1) GaN Substrates
著者 (9件):
YAMAMOTO Shuichiro
(Univ. California, CA, USA)
YAMAMOTO Shuichiro
(Sharp Corp., Nara, JPN)
ZHAO Yuji
(Univ. California, CA, USA)
PAN Chih-Chien
(Univ. California, CA, USA)
CHUNG Roy B.
(Univ. California, CA, USA)
FUJITO Kenji
(Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN)
SONODA Junichi
(Univ. California, CA, USA)
DENBAARS Steven P.
(Univ. California, CA, USA)
NAKAMURA Shuji
(Univ. California, CA, USA)

資料名:
Applied Physics Express  (Applied Physics Express)

巻:号: 12  ページ: 122102.1-122102.3  発行年: 2010年12月25日 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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