文献
J-GLOBAL ID:201102274975923820
整理番号:11A0143324
半極性(20<span style=text-decoration:overline>2</span>1)GaN基板上の高効率単一量子井戸緑色および黄色-緑色発光ダイオード
High-Efficiency Single-Quantum-Well Green and Yellow-Green Light-Emitting Diodes on Semipolar (20<span style=text-decoration:overline>2</span>1) GaN Substrates
著者 (9件):
YAMAMOTO Shuichiro
(Univ. California, CA, USA)
,
YAMAMOTO Shuichiro
(Sharp Corp., Nara, JPN)
,
ZHAO Yuji
(Univ. California, CA, USA)
,
PAN Chih-Chien
(Univ. California, CA, USA)
,
CHUNG Roy B.
(Univ. California, CA, USA)
,
FUJITO Kenji
(Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN)
,
SONODA Junichi
(Univ. California, CA, USA)
,
DENBAARS Steven P.
(Univ. California, CA, USA)
,
NAKAMURA Shuji
(Univ. California, CA, USA)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
3
号:
12
ページ:
122102.1-122102.3
発行年:
2010年12月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)