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資料名：
巻： 99 号： 18 ページ： 182111 発行年： 2011年10月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201102276561433491
整理番号：11A1814535
SiO2/SiC界面領域における固定窒素原子と界面トラップ密度との直接的な関係
Fixed nitrogen atoms in the SiO2/SiC interface region and their direct relationship to interface trap density
KOSUGI R.
(Advanced Power Electronics Res. Center (ADPERC), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) ...)
,
UMEDA T.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba 305-8573, JPN)
,
SAKUMA Y.
(Advanced Power Electronics Res. Center (ADPERC), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 99 号： 18 ページ： 182111 発行年： 2011年10月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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