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著者 (9件)：
資料名：
巻： 470 ページ： 175-183 発行年： 2011年
JST資料番号： D0744C ISSN： 1013-9826 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201102277553677795
整理番号：11A1190465
熱酸化により作製したSiナノドット素子及びその応用
Si Nanodot Device Fabricated by Thermal Oxidation and Their Applications
TAKAHASHI Yasuo
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
JO Mingyu
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
KAIZAWA Takuya
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
KATO Yuki
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
ARITA Masashi
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
FUJIWARA Akira
(NTT Corp., Atsugi, JPN)
,
ONO Yukinori
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
INOKAWA Hiroshi
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
CHOI Jung-Bum
(Chungbuk National Univ., Chungbuk, KOR)
資料名：
Key Engineering Materials
(Key Engineering Materials)
巻： 470 ページ： 175-183 発行年： 2011年
JST資料番号： D0744C ISSN： 1013-9826 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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