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J-GLOBAL ID：201102280748148356 整理番号：11A1668336

Si-Sc-C系における低温溶液成長による6H-SiC(0001)上への3C-SiCの形成過程

Formation process of 3C-SiC on 6H-SiC (0001) by low-temperature solution growth in Si-Sc-C system

著者 (7件)：

SEKI Kazuaki

(Dep. of Crystalline Materials Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya ...)

,

ALEXANDER

(Dep. of Crystalline Materials Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya ...)

,

KOZAWA Shigeta

(Dep. of Crystalline Materials Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya ...)

,

UJIHARA Toru

(Dep. of Crystalline Materials Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya ...)

,

CHAUDOUEET Patrick

(Lab. des Materiaux et du Genie Physique, CNRS UMR5628-Grenoble INP, Minatec, 3 parvis Louis Neel, BP 257, 38016 ...)

,

CHAUSSENDE Didier

(Lab. des Materiaux et du Genie Physique, CNRS UMR5628-Grenoble INP, Minatec, 3 parvis Louis Neel, BP 257, 38016 ...)

,

TAKEDA Yoshikazu

(Dep. of Crystalline Materials Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya ...)

資料名：

Journal of Crystal Growth (Journal of Crystal Growth)

巻： 335 号： 1 ページ： 94-99 発行年： 2011年11月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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