文献
J-GLOBAL ID:201102285038296501
整理番号:11A1892230
ケルビンプローブフォース顕微鏡により観察されたシリコン-オン-インシュレータチャネル中のリンドナーへの電子注入の効果
Effect of electron injection into phosphorus donors in silicon-on-insulator channel observed by Kelvin probe force microscopy
著者 (7件):
ANWAR Miftahul
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
,
NOWAK Roland
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
,
MORARU Daniel
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
,
UDHIARTO Arief
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
,
MIZUNO Takeshi
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
,
JABLONSKI Ryszard
(Div. of Sensors and Measuring Systems, Warsaw Univ. of Technol., Sw. A. Boboli 8, 02-525 Warsaw, POL)
,
TABE Michiharu
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
99
号:
21
ページ:
213101
発行年:
2011年11月21日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)